3D память: в 10 раз больше объёма и скорости - РАДИОСХЕМЫ

     простые интересные РАДИОСХЕМЫ сделанные своими руками

» ДАТАШИТ
Например: TDA2050


» РАДИОБЛОГИ
Проверка жидкокристаллического дисплея 1602 (HD44780)
ЭВМ «Таймыр»
Переделка USB паяльника с Али-экспресс
Простой индикатор напряжения автомобильного АКБ на светодиодах
Импульсный блок питания на одном транзисторе
Дополнительная батарея для продления времени работы блютус наушников
Еще раз про ЛУТ технологию
Переделка многооборотного подстрочного резистора в регулируемый



3D память: в 10 раз больше объёма и скорости

Корпорация Intel представила новый тип компьютерной памяти, которая может произвести революцию в индустрии компьютерных технологий. Инновационная разработка получила название 3D XPoint. Традиционно компьютеры для хранения информации используют два типа «хранилищ» — жесткие диски, где данные сохраняются даже после отключения питания, и отдельные ячейки DRAM. Память DRAM используется для краткосрочного хранения, она более быстрая, но дороже и меньше по объему по сравнению с жесткими дисками.

3D Xpoint заменит оба вида памяти, при этом ее производительность, как заявляет Intel, будет в 1000 раз больше, чем у жестких дисков, а объем хранимой информации — в 10 раз больше, чем у DRAM. Объем памяти первой модели составляет 375 ГБ. Во втором квартале добавятся еще две версии — на 750 ГБ или на 375 ГБ в форм-факторе U.2. Во второй половине года обещают карту на 1,5 ТБ, а также на 750 ГБ и на 1,5 ТБ в форм-факторе U.2.

Первые коммерческие Optane пропишутся в серверах. Они получат интерфейсы PCI Express 3.0 х4 и NVDIMM с 288 контактами (энергонезависимые модули DDR4). В первом случае 3D XPoint обеспечит производительность на уровне 3200 Мбайт/с. Во втором случае будет обеспечена совместимость только с новыми Intel Xeon E5 v5 поколения Broadwell-EP. Скорость чтения/записи накопителя форм-фактора NVDIMM составит 6 Гбайт/с, хотя пропускная способность стандарта PC4-19200 (DDR4-2400) составляет 19,2 Гбайт/с на канал.

Технология 3D XPoint — это новый вид энергонезависимой памяти, разработанный Intel и Micron. Подробностей того, как на самом деле работает эта память, не слишком много (считается, что для записи используется изменение сопротивления материала), но его характеристики производительности и технические возможности делают ее притягательной для широкого спектра применений.

P4800X предназначена для использования в дата-центрах, для приложений с высокой нагрузкой на чтение/запись, где требуется низкая задержка. Максимальная скорость чтения и записи не самые впечатляющие, 2,4 Гбит/с и 2 Гбит/с, соответственно, некоторые модели NAND имеют лучшие показатели. Однако, преимущество P4800X заключается в способности выдерживать высокие нагрузки во время чтения и записи с низкой задержкой: чтение — 550 000 IOPS, запись — 500 000 IOPS.

В отличие от флэш-памяти, которая физически изнашивается от стирания, запись 3D XPoint не вызывает таких последствий, поэтому карта служит намного дольше, чем NAND той же плотности. Если верить Intel, ее можно перезаписывать 30 раз в день (обычный показатель — 0,5-10 в день).

Кроме того, Optane можно использовать и как оперативную память, если применять ее в сочетании с соответствующим чипсетом и процессором. Задержка и пропускная способность будут ниже, чем у DRAM, но плотность выше, а цена значительно ниже, сообщает Ars Technica.

Главное достоинство этого типа памяти - возможность мгновенно сохранять текущее состояние системы при выключении. В принципе отпадает необходимость в применении бесперебойных ИП, что уже составит серьёзную экономию, поскольку для остальной периферии можно вполне обойтись сетевыми фильтрами. К примеру совершенно безопасная возможность полностью обесточить систему во время расчётов приложений или игр в случае необходимости значительно сэкономит расходы на электричество, как и быстрая готовность системы при включении. О полезности подобной технологии в мобильном секторе и говорить не приходится.

Видео презентация от Интел

Модель Intel Optane SSD DC P4800X уже ограниченно доступна за $1500, в открытой продаже появится во втором квартале 2017 года.

Maestro - 08.04.2017 - Прочитали: 1547

        
Ваши комментарии к материалу
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
» ПОИСК СХЕМ



» РАДИОЭЛЕМЕНТЫ

Группа вконтакте Канал ютуб Группа в фэйсбук Мобильная версия © 2010-2019, "Радиосхемы". Все права защищены. Почта