почему-то для полевиков в датащите пишут а для игбт это секрет?
Потому, что IBGT меряется но другому. Там падение напряжение на КЭ. Вот пример, если посчитать сопротивление по закону Ома, то оно сильно зависит от тока. При 20в КЭ -1,7в При 120А КЭ-4,1в, или сопротивление равно: от 0.085 до 0,034. Тут более однозначно описывает работу падение напряжения КЭ.
при напряжении 12 вольт к э, управляющем импульсе 12 вольт и токе коллектора 5 ампер какое будет его сопротивление?
Добавлено (12.01.2020, 04:30) --------------------------------------------- и если напряжение коллектор эмитер 100 вольт и ток 1 ампер?
Добавлено (12.01.2020, 04:33) --------------------------------------------- при 10 вольтах и 5 амперах его сопротивление будет 0.5 ом?
Добавлено (12.01.2020, 04:46) --------------------------------------------- у меня напряжение питания 12 вольт, нагрузка 0.5 ом, какое будет сопротивление игбт при этом?
--------------------------------------------- при 10 вольтах и 5 амперах его сопротивление будет 0.5 ом?
Тут сопротивление 2 ома. R=U/I=10/2 Вы не поняли сути. Напряжение в работе открытого ключа будет порядка 2,5-3 в вне зависимости от напряжения питания. И нелинейно зависит от тока нагрузки. Например, ток 20А, или 50А (дальше кривая имеет теоретическое значение, транзистор в реале просто сгорит), напряжение на КЭ меняется от 2 до 2,5в. Т.е. все расчеты можно вести на падение напряжения в 2,5в. вне зависимости от тока.
получается к примеру при коммутации индуктивности или ёмкости ток будет сильно меняться и игбт своей нелинейностью будет также сильно менять общий ток своим сопротивлением?
Добавлено (12.01.2020, 05:47) --------------------------------------------- что будет с выбросами оэдс по сравнению с обычными полевиками? они будут больше или меньше?
получается к примеру при коммутации индуктивности или ёмкости ток будет сильно меняться и игбт своей нелинейностью будет также сильно менять общий ток своим сопротивлением?
Все процессы будут аналогичны тем, что идут с полевиками. Ведь наделение напряжения мало по сравнению с напряжением на нагрузке. Разница невелика, иногда даже неразличима. К примеру, 310в (при питании от сети 220в), 307 вольт на нагрузке, а 3в на ключе, это всего 1% от общего напряжения. Часто можно менять IGBT на Mosfet и наоборот. Только полевики работают при большей частоте, а IGBT лучше держат нагрузку.
Цитата
что будет с выбросами оэдс по сравнению с обычными полевиками? они будут больше или меньше?
Повторяю, разницы особой не будет. Если будет, то доли процента. Это, если использовать IGBT со встроенным диодом, если без диода , то разница может быть существенна. Но это не за счет нелинейности сопротивления ключа. И IGBT дешевле при той же мощности, т.к. проще в изготовлении, и уже вытесняет полевики, где это можно.
в моём случае напряжение питания 12 вольт. 3 вольта это 25%
IGBT предназначены для работы с высоким напряжением, и IGBT при 12в питания ни когда не ставят, не место им там. И вообще IGBT транзисторы делают минимум на 250в (есть места, где 110в напряжение сети), во всяком случае, транзисторы на меньше напряжение я не встречал.
Моб. версия
© 2010-2020, "Радиосхемы". Все права защищены. Почта
